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SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

Die SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte von Semicorex für epitaktisches Wachstum ist die perfekte Lösung für Anwendungen zur Halbleiterwaferverarbeitung. Mit seinen hochwertigen Kohlenstoff-Graphit-Suszeptoren und Quarztiegeln, die durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet werden, ist dieses Produkt ideal für die Wafer-Handhabung und epitaktische Wachstumsverarbeitung. Der mit SiC beschichtete Träger gewährleistet eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und ist somit eine zuverlässige Wahl für RTA-, RTP- oder aggressive chemische Reinigung.

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RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum

Der Semicorex RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum ist ideal für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen, einschließlich Epitaxiewachstum und Wafer-Handling-Verarbeitung. Kohlenstoffgraphitsuszeptoren und Quarztiegel werden durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Möchten Sie fortschrittliche und langlebige Graphite-Wafer-Tray kaufen? Semicorex ist definitiv Ihre gute Wahl. Wir sind als einer der wettbewerbsfähigsten Graphite-Wafer-Tray Hersteller und Lieferanten in China bekannt. Wir bieten auch Sammelverpackungen an. Möglicherweise benötigen Sie einige kundenspezifische Dienstleistungen, um die tatsächlichen Bedürfnisse Ihrer Region zu erfüllen. Sie können uns über die Kontaktinformationen auf der Webseite eine Nachricht hinterlassen. Wir heißen neue und alte Kunden herzlich willkommen, unsere Fabrik zur Beratung und Verhandlung zu besuchen.