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MOCVD-Suszeptor für epitaktisches Wachstum

MOCVD-Suszeptor für epitaktisches Wachstum

Semicorex ist ein führender Lieferant und Hersteller von MOCVD-Suszeptoren für epitaktisches Wachstum. Unser Produkt wird häufig in der Halbleiterindustrie eingesetzt, insbesondere beim Wachstum der Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip. Unser Suszeptor ist für den Einsatz als Mittelplatte bei MOCVD konzipiert und verfügt über ein zahnrad- oder ringförmiges Design. Das Produkt weist eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit auf und ist daher auch in extremen Umgebungen stabil.

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SiC-beschichteter MOCVD-Suszeptor

SiC-beschichteter MOCVD-Suszeptor

Semicorex ist ein führender Hersteller und Lieferant von SiC-beschichteten MOCVD-Suszeptoren. Unser Produkt wurde speziell für die Halbleiterindustrie entwickelt, um die Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip wachsen zu lassen. Der mit hochreinem Siliziumkarbid beschichtete Graphitträger wird beim MOCVD als Mittelplatte in zahnrad- oder ringförmiger Ausführung verwendet. Unser Suszeptor wird häufig in MOCVD-Geräten eingesetzt und gewährleistet eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit sowie große Stabilität in extremen Umgebungen.

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SiC-beschichteter Graphitsuszeptor für MOCVD

SiC-beschichteter Graphitsuszeptor für MOCVD

Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitsuszeptoren in China. Wir konzentrieren uns auf Halbleiterindustrien wie Siliziumkarbidschichten und Epitaxiehalbleiter. Unser SiC-beschichteter Graphit-Suszeptor für MOCVD hat einen guten Preisvorteil und deckt viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden.

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RTP-Graphit-Trägerplatte

RTP-Graphit-Trägerplatte

Die RTP-Graphit-Trägerplatte von Semicorex ist die perfekte Lösung für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen, einschließlich Epitaxiewachstum und Wafer-Handling-Verarbeitung. Unser Produkt ist so konzipiert, dass es eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit bietet und sicherstellt, dass die Epitaxie-Suszeptoren der Abscheidungsumgebung mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit ausgesetzt sind.

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RTP-SiC-Beschichtungsträger

RTP-SiC-Beschichtungsträger

Der Semicorex RTP SiC-Beschichtungsträger bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit und ist damit die perfekte Lösung für Anwendungen bei der Verarbeitung von Halbleiterwafern. Mit seinem hochwertigen SiC-beschichteten Graphit ist dieses Produkt so konzipiert, dass es den härtesten Abscheidungsumgebungen für epitaktisches Wachstum standhält. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hervorragenden Wärmeverteilungseigenschaften gewährleisten eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.

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RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger

RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger

Der Semicorex RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger ist so konstruiert, dass er den härtesten Bedingungen der Abscheidungsumgebung standhält. Mit seiner hohen Hitze- und Korrosionsbeständigkeit ist dieses Produkt darauf ausgelegt, eine optimale Leistung für das epitaktische Wachstum zu bieten. Der mit SiC beschichtete Träger verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und gewährleistet so eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.

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