Poröse Tantalkarbidkeramik

Die poröse Tantalkarbidkeramik von Semicorex ist ein Ultrahochtemperatur-Keramikmaterial mit einem Schmelzpunkt von etwa 3880 °C, das dank der folgenden hervorragenden Leistungsmerkmale eine stabile Leistung in den anspruchsvollen Betriebsumgebungen mit hohen Temperaturen und hoher Korrosion aufrechterhalten kann.

1. Hervorragende thermische Eigenschaft

Die maximale Arbeitstemperatur von Semicorex porösTantalkarbidkeramikkann bis zu 3200℃ betragen und kann bei Hochtemperatur-Siliziumkarbid-Kristallwachstumsbedingungen über einen langen Zeitraum hinweg stabil arbeiten, ohne dass es zu Verformungen oder Erweichungen kommt.

2. Außergewöhnliche chemische Stabilität

Die poröse Tantalkarbidkeramik von Semicorex weist eine bessere Korrosionsbeständigkeit und Oxidationsbeständigkeit auf als herkömmliche Keramik. Es kann der Korrosion von Hochtemperatur-Sauerstoff und Si-Dampf im Kristallwachstumsprozess wirksam widerstehen.

3. Spezielle poröse Struktur

Die poröse Tantalkarbidkeramik von Semicorex verfügt über gleichmäßig verteilte Innenporen mit einer Porosität zwischen 10 und 60 % (anpassbar) und einem Durchgangsporenanteil von über 98 %. Diese spezielle Struktur ermöglicht es Dampfphasenelementen wie Si und C, reibungslos im Kristallwachstumsofen zu fließen und zu diffundieren, was das Wachstum hochwertiger Kristalle erheblich erleichtert.

Anwendung bei der Kristallzüchtung von Siliziumkarbid

Während des Siliziumkarbid-Kristallwachstums über den PVT-Prozess dient die poröse Tantalkarbidkeramik von Semicorex hauptsächlich der Filterung von Dampfphasenelementen, der Regulierung des Ofentemperaturgradienten und der Führung des Gasmaterialflusses. Im Gegensatz zu herkömmlichen porösen TaC-beschichteten Graphitmaterialien weist die poröse Tantalkarbidkeramik von Semicorex deutliche Vorteile auf: Sie eliminiert PorenTaC-beschichteter GraphitDer Nachteil der Materialien, dass sie aufgrund der Beschichtungsbehandlung nur geringe Durchgangsporen aufweisen, wird vermieden, während bei porösen, mit TaC beschichteten Graphitmaterialien der im Betrieb auftretende Problempunkt des Abblätterns der Beschichtung vermieden wird. Durch die Verwendung der porösen Tantalkarbidkeramik von Semicorex können Sie Kohlenstoffeinschlussdefekte beim Wachstum von Siliziumkarbidkristallen wirksam verhindern und so die Qualität des Kristallwachstums und die Produktausbeute erheblich verbessern.