Poröser Graphit mit TaC-Beschichtung

Poröser Graphit von Semicorex mit TaC-Beschichtung kombiniert die einzigartigen Eigenschaften von porösem Graphit mit den schützenden und verbessernden Eigenschaften einer TaC-Beschichtung und bietet erhebliche Verbesserungen gegenüber herkömmlichen Materialien, die in Hochtemperaturtiegeln verwendet werden.

Graphit und poröser Graphit werden zwar aufgrund ihrer thermischen Stabilität und elektrischen Leitfähigkeit häufig verwendet, stellen in Hochtemperaturumgebungen jedoch erhebliche Herausforderungen dar. Insbesondere poröser Graphit wird wegen seiner hohen Permeabilität bevorzugt, die einen besseren Gasfluss und eine gleichmäßige Temperaturverteilung ermöglicht. Seine hohe Porosität macht es jedoch mechanisch schwach, was zu Schwierigkeiten bei der Bearbeitung und präzisen Formgebung des Materials führt. Darüber hinaus kann die poröse Struktur zur Partikelablösung führen, die die SiC-Kristalle verunreinigt. Poröser Graphit ist außerdem anfällig für chemisches Ätzen und Zersetzung bei hohen Temperaturen und reaktiven Umgebungen, wodurch die Integrität des Tiegels beeinträchtigt wird. Auch wenn Tantalkarbidpulver (TaC) häufig zum Beschichten oder Mischen mit Graphit verwendet werden, um dessen Eigenschaften zu verbessern, kann ihre gleichmäßige Anwendung und Haftung schwierig sein und zu unebenen Oberflächen und möglichen Verunreinigungen führen.

Das Produkt Poröser Graphit mit TaC-Beschichtung überwindet die oben genannten Herausforderungen effektiv, indem es die besten Eigenschaften beider Materialien vereint:

Verbesserte mechanische Festigkeit: Die TaC-Beschichtung erhöht die mechanische Festigkeit des porösen Graphits erheblich, wodurch sich der poröse Graphit mit TaC-Beschichtung leichter bearbeiten und formen lässt, ohne die strukturelle Integrität des Materials zu beeinträchtigen.

Reduzierte Partikelablösung: Die TaC-Beschichtung bildet eine Schutzschicht über dem porösen Graphit und verringert so die Wahrscheinlichkeit einer Partikelablösung und einer Kontamination der SiC-Kristalle.

Verbesserte chemische Beständigkeit: TaC ist äußerst beständig gegen chemisches Ätzen und Zersetzung und bietet eine dauerhafte Barriere, die den porösen Graphit vor reaktiven Gasen und Umgebungen mit hohen Temperaturen schützt.

Thermische Stabilität und Leitfähigkeit: Sowohl Graphit als auch TaC weisen eine ausgezeichnete thermische Stabilität und Leitfähigkeit auf. Die Kombination von porösem Graphit mit TaC-Beschichtung stellt sicher, dass der Tiegel eine gleichmäßige Temperaturverteilung aufrechterhält, die für das fehlerfreie Wachstum von SiC-Kristallen entscheidend ist.

Optimierte Permeabilität: Die inhärente Porosität des Graphits ermöglicht einen effizienten Gasfluss und ein effizientes Wärmemanagement, während die TaC-Beschichtung dafür sorgt, dass diese Permeabilität erhalten bleibt, ohne die Integrität des Materials zu beeinträchtigen.

Poröser Semicorex-Graphit mit TaC-Beschichtung stellt einen bedeutenden Fortschritt bei den Materialien dar, die für das SiC-Kristallwachstum verwendet werden. Durch die Bewältigung der mechanischen, chemischen und thermischen Herausforderungen, die mit herkömmlichen Graphit- und TaC-Pulvern verbunden sind, gewährleistet poröser Graphit mit TaC-Beschichtung SiC-Kristalle höherer Qualität mit weniger Defekten. Die Kombination aus der Durchlässigkeit von porösem Graphit und den Schutzeigenschaften von TaC bietet eine robuste Lösung für Hochtemperaturanwendungen und macht es zu einem unverzichtbaren Material bei der Herstellung fortschrittlicher Halbleiter und elektronischer Geräte.