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China Siliziumkarbidbeschichtet Hersteller, Lieferanten, Fabrik

Bei der SiC-Beschichtung handelt es sich um eine dünne Schicht auf dem Suszeptor, die im CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) aufgebracht wird. Siliziumkarbid-Material bietet eine Reihe von Vorteilen gegenüber Silizium, darunter die 10-fache elektrische Durchbruchfeldstärke und die 3-fache Bandlücke, was dem Material eine hohe Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit, eine ausgezeichnete Verschleißfestigkeit sowie Wärmeleitfähigkeit verleiht.

Semicorex bietet maßgeschneiderten Service und hilft Ihnen bei der Innovation mit Komponenten, die länger halten, Zykluszeiten verkürzen und Erträge verbessern.


Die SiC-Beschichtung bietet mehrere einzigartige Vorteile

Hohe Temperaturbeständigkeit: Der CVD-SiC-beschichtete Suszeptor kann hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C standhalten, ohne dass es zu einer nennenswerten thermischen Beeinträchtigung kommt.

Chemikalienbeständigkeit: Die Siliziumkarbidbeschichtung bietet eine hervorragende Beständigkeit gegen eine Vielzahl von Chemikalien, darunter Säuren, Laugen und organische Lösungsmittel.

Verschleißfestigkeit: Die SiC-Beschichtung verleiht dem Material eine hervorragende Verschleißfestigkeit und eignet sich daher für Anwendungen mit hohem Verschleiß.

Wärmeleitfähigkeit: Die CVD-SiC-Beschichtung verleiht dem Material eine hohe Wärmeleitfähigkeit und eignet sich daher für den Einsatz in Hochtemperaturanwendungen, die eine effiziente Wärmeübertragung erfordern.

Hohe Festigkeit und Steifigkeit: Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor verleiht dem Material eine hohe Festigkeit und Steifigkeit und eignet sich daher für Anwendungen, die eine hohe mechanische Festigkeit erfordern.


SiC-Beschichtungen werden in verschiedenen Anwendungen eingesetzt

LED-Herstellung: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor wird aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und chemischen Beständigkeit bei der Herstellung verschiedener LED-Typen verwendet, einschließlich blauer und grüner LEDs, UV-LEDs und Deep-UV-LEDs.



Mobile Kommunikation: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor ist ein entscheidender Bestandteil des HEMT zur Vervollständigung des GaN-auf-SiC-Epitaxieprozesses.



Halbleiterverarbeitung: CVD-SiC-beschichtete Suszeptoren werden in der Halbleiterindustrie für verschiedene Anwendungen verwendet, einschließlich Waferverarbeitung und epitaktisches Wachstum.





SiC-beschichtete Graphitkomponenten

Die aus Siliziumkarbid-Beschichtungsgraphit (SiC) hergestellte Beschichtung wird durch ein CVD-Verfahren auf bestimmte Graphitqualitäten hoher Dichte aufgetragen, sodass sie im Hochtemperaturofen mit über 3000 °C in einer inerten Atmosphäre und 2200 °C im Vakuum betrieben werden kann .

Die besonderen Eigenschaften und die geringe Masse des Materials ermöglichen schnelle Aufheizraten, eine gleichmäßige Temperaturverteilung und eine hervorragende Präzision bei der Steuerung.


Materialdaten der Semicorex SiC-Beschichtung

Typische Eigenschaften

Einheiten

Werte

Struktur


FCC-β-Phase

Orientierung

Anteil (%)

111 bevorzugt

Schüttdichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickershärte

2500

Wärmekapazität

J kg-1 K-1

640

Wärmeausdehnung 100–600 °C (212–1112 °F)

10-6K-1

4.5

Elastizitätsmodul

Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)

430

Körnung

μm

2~10

Sublimationstemperatur

2700

Biegekraft

MPa (RT 4-Punkt)

415

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Fazit: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor ist ein Verbundmaterial, das die Eigenschaften eines Suszeptors und von Siliziumkarbid kombiniert. Dieses Material verfügt über einzigartige Eigenschaften, darunter hohe Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit, ausgezeichnete Verschleißfestigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit sowie hohe Festigkeit und Steifigkeit. Diese Eigenschaften machen es zu einem attraktiven Material für verschiedene Hochtemperaturanwendungen, darunter Halbleiterverarbeitung, chemische Verarbeitung, Wärmebehandlung, Solarzellenherstellung und LED-Herstellung.






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RTP-Graphit-Trägerplatte

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Die RTP-Graphit-Trägerplatte von Semicorex ist die perfekte Lösung für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen, einschließlich Epitaxiewachstum und Wafer-Handling-Verarbeitung. Unser Produkt ist so konzipiert, dass es eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit bietet und sicherstellt, dass die Epitaxie-Suszeptoren der Abscheidungsumgebung mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit ausgesetzt sind.

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RTP-SiC-Beschichtungsträger

RTP-SiC-Beschichtungsträger

Der Semicorex RTP SiC-Beschichtungsträger bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit und ist damit die perfekte Lösung für Anwendungen bei der Verarbeitung von Halbleiterwafern. Mit seinem hochwertigen SiC-beschichteten Graphit ist dieses Produkt so konzipiert, dass es den härtesten Abscheidungsumgebungen für epitaktisches Wachstum standhält. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hervorragenden Wärmeverteilungseigenschaften gewährleisten eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.

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RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger

RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger

Der Semicorex RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger ist so konstruiert, dass er den härtesten Bedingungen der Abscheidungsumgebung standhält. Mit seiner hohen Hitze- und Korrosionsbeständigkeit ist dieses Produkt darauf ausgelegt, eine optimale Leistung für das epitaktische Wachstum zu bieten. Der mit SiC beschichtete Träger verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und gewährleistet so eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.

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SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD

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Die SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte von Semicorex für MOCVD bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit und ist damit die perfekte Lösung für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen. Mit einem hochwertigen SiC-beschichteten Graphit ist dieses Produkt so konstruiert, dass es den härtesten Abscheidungsumgebungen für epitaktisches Wachstum standhält. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hervorragenden Wärmeverteilungseigenschaften gewährleisten eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.

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SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

Die SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte von Semicorex für epitaktisches Wachstum ist die perfekte Lösung für Anwendungen zur Halbleiterwaferverarbeitung. Mit seinen hochwertigen Kohlenstoff-Graphit-Suszeptoren und Quarztiegeln, die durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet werden, ist dieses Produkt ideal für die Wafer-Handhabung und epitaktische Wachstumsverarbeitung. Der mit SiC beschichtete Träger gewährleistet eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und ist somit eine zuverlässige Wahl für RTA-, RTP- oder aggressive chemische Reinigung.

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RTP RTA SiC-beschichteter Träger

RTP RTA SiC-beschichteter Träger

Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitsuszeptoren in China. Semicorex-Graphitsuszeptor, der speziell für Epitaxiegeräte mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit in China entwickelt wurde. Unser RTP RTA SiC-beschichteter Träger hat einen guten Preisvorteil und deckt viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden.

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Semicorex produziert seit vielen Jahren Siliziumkarbidbeschichtet und ist einer der professionellen Siliziumkarbidbeschichtet Hersteller und Lieferanten in China. Sobald Sie unsere fortschrittlichen und langlebigen Produkte kaufen, die in Großpackungen geliefert werden, garantieren wir die große Menge in schneller Lieferung. Im Laufe der Jahre haben wir unseren Kunden einen maßgeschneiderten Service geboten. Kunden sind mit unseren Produkten und unserem exzellenten Service zufrieden. Wir freuen uns aufrichtig darauf, Ihr zuverlässiger langfristiger Geschäftspartner zu werden! Willkommen, um Produkte aus unserer Fabrik zu kaufen.
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