Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor von Semicorex für induktiv gekoppeltes Plasma (ICP) wurde speziell für Hochtemperatur-Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD entwickelt. Mit einer stabilen Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit von bis zu 1600 °C sorgen unsere Träger für gleichmäßige thermische Profile und laminare Gasströmungsmuster und verhindern die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen.
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