Die SiC-beschichtete ICP-Komponente von Semicorex wurde speziell für Hochtemperatur-Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD entwickelt. Mit einer feinen SiC-Kristallbeschichtung bieten unsere Träger eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit.
WeiterlesenAnfrage absendenWenn es um Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD geht, ist die Hochtemperatur-SiC-Beschichtung für Plasmaätzkammern von Semicorex die erste Wahl. Unsere Träger bieten dank unserer feinen SiC-Kristallbeschichtung eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit.
WeiterlesenAnfrage absendenDas ICP-Plasma-Ätztablett von Semicorex wurde speziell für Hochtemperatur-Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD entwickelt. Mit einer stabilen Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C sorgen unsere Träger für gleichmäßige thermische Profile und laminare Gasströmungsmuster und verhindern die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen.
WeiterlesenAnfrage absendenDer SiC-beschichtete Träger von Semicorex für das ICP-Plasmaätzsystem ist eine zuverlässige und kostengünstige Lösung für Hochtemperatur-Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD. Unsere Träger verfügen über eine feine SiC-Kristallbeschichtung, die eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit bietet.
WeiterlesenAnfrage absendenDer mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor von Semicorex für induktiv gekoppeltes Plasma (ICP) wurde speziell für Hochtemperatur-Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD entwickelt. Mit einer stabilen Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit von bis zu 1600 °C sorgen unsere Träger für gleichmäßige thermische Profile und laminare Gasströmungsmuster und verhindern die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen.
WeiterlesenAnfrage absendenDer ICP-Ätzwaferhalter von Semicorex ist die perfekte Lösung für Hochtemperatur-Waferhandhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD. Mit einer stabilen Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit von bis zu 1600 °C sorgen unsere Träger für gleichmäßige thermische Profile und laminare Gasströmungsmuster und verhindern die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen.
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