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Waferträger

Waferträger

Der SiC-beschichtete Graphit-Wafer-Träger von Semicorex ist für eine zuverlässige Wafer-Handhabung bei Halbleiter-Epitaxie-Wachstumsprozessen konzipiert und bietet hohe Temperaturbeständigkeit und hervorragende Wärmeleitfähigkeit. Mit fortschrittlicher Materialtechnologie und einem Fokus auf Präzision liefert Semicorex überragende Leistung und Haltbarkeit und gewährleistet optimale Ergebnisse für die anspruchsvollsten Halbleiteranwendungen.*

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Graphit-Waferhalter

Graphit-Waferhalter

Der SiC-beschichtete Graphit-Waferhalter von Semicorex ist eine Hochleistungskomponente, die für die präzise Handhabung von Wafern in Halbleiter-Epitaxie-Wachstumsprozessen entwickelt wurde. Das Fachwissen von Semicorex in den Bereichen fortschrittliche Materialien und Fertigung stellt sicher, dass unsere Produkte unübertroffene Zuverlässigkeit, Haltbarkeit und individuelle Anpassung für eine optimale Halbleiterproduktion bieten.*

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AlN-Keramiktiegel

AlN-Keramiktiegel

Der von Semicorex vorgestellte AlN-Keramiktiegel wurde für extreme Bedingungen entwickelt und ist ein unverzichtbares Werkzeug für Profis, die mit Nichteisenmetallen und Halbleitermaterialien wie Galliumarsenid arbeiten.

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Aluminiumoxid-Boot

Aluminiumoxid-Boot

Alumina Boat von Semicorex findet seine Nische in der Halbleiterindustrie, im allgemeinen Maschinenbau und bei Hochtemperaturprozessen und erweist sich als unverzichtbar für Profis, die Zuverlässigkeit und Präzision suchen.

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SiC-Keramikplatte

SiC-Keramikplatte

Die SiC-Keramikplatte von Semicorex bietet unübertroffene Leistung in Umgebungen, die Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit und Hochtemperaturstabilität erfordern. Dieses Produkt ist für den Einsatz als Auskleidungsplatten und Stützteile in einer Vielzahl anspruchsvoller Anwendungen konzipiert.

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Siliziumkarbid-Tablett

Siliziumkarbid-Tablett

Das Semicorex-Siliziumkarbid-Tablett ist so konstruiert, dass es extremen Bedingungen standhält und gleichzeitig eine bemerkenswerte Leistung gewährleistet. Es spielt eine entscheidende Rolle beim ICP-Ätzprozess, der Halbleiterdiffusion und dem MOCVD-Epitaxieprozess.

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