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Tief-UV-LED-Epitaxie-Suszeptor
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Tief-UV-LED-Epitaxie-Suszeptor

Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitsuszeptoren in China. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Deep-UV-LED-Epitaxie-Suszeptoren. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Tief-UV-LED-Epitaxie-Suszeptoren sind für die Herstellung von LEDs unerlässlich. Mit Semicorex-Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Platten machen die Herstellung hochwertiger Deep-UV-LED-Wafer effizienter. Die SiC-Beschichtung ist eine dichte, verschleißfeste Beschichtung aus Siliziumkarbid (SiC). Es hat hohe Korrosions- und Hitzebeständigkeitseigenschaften sowie eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit. SiC tragen wir im CVD-Verfahren (Chemical Vapor Deposition) in dünnen Schichten auf den Graphit auf.
Ganz gleich, wie Ihre spezifischen Anforderungen aussehen, wir finden die beste Lösung für die MOCVD-Epitaxie sowie die Halbleiter- und LED-Industrie.
Unser Tief-UV-LED-Epitaxie-Suszeptor wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren Deep-UV-LED-Epitaxie-Suszeptor zu erfahren.


Parameter des Deep-UV-LED-Epitaxie-Suszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des Deep-UV-LED-Epitaxie-Suszeptors

- Geringere Wellenlängenabweichung und höhere Chipausbeute
- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.
- Engere Maßtoleranzen führen zu einer höheren Produktausbeute und niedrigeren Kosten
- Vermeiden Sie ein Ablösen und stellen Sie sicher, dass alle Oberflächen beschichtet sind
Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.




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