Tief-UV-LED-Epitaxie-Suszeptor

Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitsuszeptoren in China. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Deep-UV-LED-Epitaxie-Suszeptoren. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Epitaktische LED-Suszeptoren im tiefen UV-Bereich sind für die Herstellung von LEDs unerlässlich. Mit Semicorex-Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Platten machen die Herstellung hochwertiger LED-Wafer mit tiefem UV-Schutz effizienter. Die SiC-Beschichtung ist eine dichte, verschleißfeste Beschichtung aus Siliziumkarbid (SiC). Es verfügt über hohe Korrosions- und Hitzebeständigkeitseigenschaften sowie eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit. Wir tragen SiC im chemischen Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD) in dünnen Schichten auf den Graphit auf.
Unabhängig von Ihren spezifischen Anforderungen ermitteln wir die beste Lösung für die MOCVD-Epitaxie sowie für die Halbleiter- und LED-Industrie.
Unser Deep-UV-LED-Epitaxial-Suszeptor ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren Deep-UV-LED-Epitaxie-Suszeptor zu erfahren.

Parameter des Deep-UV-LED-Epitaxie-Suszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des Deep-UV-LED-Epitaxie-Suszeptors

- Geringere Wellenlängenabweichung und höhere Chipausbeute
- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.
- Engere Maßtoleranzen führen zu einer höheren Produktausbeute und niedrigeren Kosten
- Vermeiden Sie ein Abblättern und stellen Sie sicher, dass die Beschichtung auf der gesamten Oberfläche vorhanden ist
Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: hergestellt durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.