Semicorex CVD Chemical Vapour Deposition-Öfen machen die Herstellung hochwertiger Epitaxie effizienter. Wir bieten maßgeschneiderte Ofenlösungen. Unsere CVD-Öfen zur chemischen Gasphasenabscheidung haben einen guten Preisvorteil und decken die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
Semicorex CVD-Öfen zur chemischen Gasphasenabscheidung, die für CVD und CVI konzipiert sind, werden zum Abscheiden von Materialien auf einem Substrat verwendet. Die Reaktionstemperaturen betragen bis zu 2200°C. Massenflussregler und Modulationsventile koordinieren Reaktanten- und Trägergase wie N, H, Ar, CO2, Methan, Siliziumtetrachlorid, Methyltrichlorsilan und Ammoniak. Zu den abgeschiedenen Materialien gehören Siliziumkarbid, pyrolytischer Kohlenstoff, Bornitrid, Zinkselenid und Zinksulfid. CVD-Öfen für chemische Gasphasenabscheidung haben sowohl horizontale als auch vertikale Strukturen.
Anwendung:SiC-Beschichtung für C/C-Verbundwerkstoffe, SiC-Beschichtung für Graphit, SiC-, BN- und ZrC-Beschichtung für Fasern usw.
Merkmale der CVD-Öfen für chemische Gasphasenabscheidung von Semicorex
1.Robustes Design aus hochwertigen Materialien für den Langzeitgebrauch;
2. Präzise kontrollierte Gaszufuhr durch den Einsatz von Massendurchflussreglern und hochwertigen Ventilen;
3. Ausgestattet mit Sicherheitsfunktionen wie Übertemperaturschutz und Gasleckerkennung für sicheren und zuverlässigen Betrieb;
4.Verwendung mehrerer Temperaturkontrollzonen, große Temperaturgleichmäßigkeit;
5.Speziell entwickelte Abscheidungskammer mit guter Dichtwirkung und hervorragender Antikontaminationsleistung;
6.Verwendung mehrerer Abscheidungskanäle mit gleichmäßigem Gasfluss, ohne tote Ablagerungsecken und perfekter Ablagerungsoberfläche;
7.Es verfügt über eine Behandlung für Teer, festen Staub und organische Gase während des Ablagerungsprozesses
Spezifikationen des CVD-Ofens |
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Modell |
Größe der Arbeitszone (B × H × L) mm |
Max. Temperatur (°C) |
Temperatur Gleichmäßigkeit (°C) |
Ultimatives Vakuum (Pa) |
Druckanstiegsrate (Pa/h) |
LFH-6900-SiC |
600×600×900 |
1500 |
±7,5 |
1-100 |
0.67 |
LFH-10015-SiC |
1000×1000×1500 |
1500 |
±7,5 |
1-100 |
0.67 |
LFH-1220-SiC |
1200×1200×2000 |
1500 |
±10 |
1-100 |
0.67 |
LFH-1530-SiC |
1500×1500×3000 |
1500 |
±10 |
1-100 |
0.67 |
LFH-2535-SiC |
2500×2000×3500 |
1500 |
±10 |
1-100 |
0.67 |
LFV-D3050-SiC |
φ300×500 |
1500 |
±5 |
1-100 |
0.67 |
LFV-D6080-SiC |
φ600×800 |
1500 |
±7,5 |
1-100 |
0.67 |
LFV-D8120-SiC |
φ800×1200 |
1500 |
±7,5 |
1-100 |
0.67 |
LFV-D11-SiC |
φ1100×2000 |
1500 |
±10 |
1-100 |
0.67 |
LFV-D26-SiC |
φ2600×3200 |
1500 |
±10 |
1-100 |
0.67 |
*Die oben genannten Parameter können an die Prozessanforderungen angepasst werden, sie gelten nicht als Akzeptanzstandard, sondern als Detailspezifikation. werden im technischen Angebot und in den Vereinbarungen angegeben.