Elektrostatische Spannfutter aus Aluminiumnitrid

Die elektrostatischen Spannfutter aus Aluminiumnitrid nutzen elektrostatische Kräfte, um Wafer während verschiedener Halbleiterfertigungsprozesse sicher zu halten. Diese Methode macht mechanische Klemmen oder Vakuumsysteme überflüssig und verringert so das Risiko der Partikelbildung und der mechanischen Belastung empfindlicher Wafer. Einer der Hauptvorteile der elektrostatischen Spannfutter aus Aluminiumnitrid ist ihre Fähigkeit, eine äußerst gleichmäßige und stabile elektrostatische Kraft über die gesamte Waferoberfläche zu erzeugen. Dies gewährleistet einen gleichmäßigen Kontakt und verhindert ein Verrutschen oder eine Verformung des Wafers während der Verarbeitung, was zu einer verbesserten Gleichmäßigkeit der abgeschiedenen Filme, geätzten Merkmale und anderer kritischer Parameter führt. Diese gleichmäßige Klemmkraft minimiert auch Waferverzerrungen, was zu einer verbesserten Geräteleistung und -ausbeute führt.

Was die thermischen Eigenschaften betrifft, so ermöglicht die hohe Wärmeleitfähigkeit der elektrostatischen Aluminiumnitrid-Chucks eine effiziente Wärmeableitung bei Hochtemperaturprozessen, verhindert thermische Spannungen und sorgt für eine gleichmäßige Temperaturverteilung über den Wafer. Dies ist von entscheidender Bedeutung bei Anwendungen wie der schnellen thermischen Verarbeitung und dem Plasmaätzen, bei denen eine lokale Erwärmung die Geräteleistung negativ beeinflussen kann. Darüber hinaus beinhaltet der Halbleiterherstellungsprozess häufig schnelle Temperaturübergänge. Die hohe Thermoschockbeständigkeit der elektrostatischen Spannfutter aus Aluminiumnitrid ermöglicht es, diesen plötzlichen Temperaturschwankungen ohne Beeinträchtigung oder Rissbildung standzuhalten, was die Langlebigkeit und zuverlässige Leistung des Spannfutters bei längerem Einsatz gewährleistet. Darüber hinaus besitzt AlN einen Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE), der dem von Siliziumwafern sehr nahe kommt. Diese Kompatibilität minimiert die Spannung, die während des Temperaturwechsels an der Wafer-Chuck-Schnittstelle entsteht, und verhindert so ein Durchbiegen des Wafers, Verformungen und potenzielle Defekte, die sich auf die Geräteausbeute und -leistung auswirken könnten.

AlN ist ein mechanisch robuster Werkstoff mit hoher Biegefestigkeit und Bruchzähigkeit. Diese inhärente Festigkeit ermöglicht es den elektrostatischen Spannfuttern aus Aluminiumnitrid, den mechanischen Belastungen standzuhalten, die bei der Massenfertigung auftreten, und sorgt so für eine konstante Leistung und eine längere Lebensdauer. Andererseits weist AlN eine hervorragende Beständigkeit gegenüber einer Vielzahl von Chemikalien und Plasmen auf, die üblicherweise in der Halbleiterverarbeitung verwendet werden. Es weist auch bei erhöhten Temperaturen eine hervorragende Oxidationsbeständigkeit auf und stellt sicher, dass die Oberfläche der elektrostatischen Spannfutter aus Aluminiumnitrid während der gesamten Lebensdauer makellos und kontaminationsfrei bleibt.

Elektrostatische Spannfutter aus Aluminiumnitrid von Semicorex sind in verschiedenen Größen und Stärken erhältlich, um unterschiedlichen Waferdurchmessern und Prozessanforderungen gerecht zu werden. Aufgrund dieser Anpassungsfähigkeit eignen sie sich für eine Vielzahl von Anwendungen in der Halbleiterfertigung, von Forschung und Entwicklung bis hin zur Massenproduktion.