SiC-beschichtete Halbmondteile

Halbmondteile, die mit hochwertigem Siliziumkarbid (SiC) beschichtet sind, sind sowohl als Waferträger als auch als Wärmeleiter ein wesentliches Merkmal von Epitaxieprozessen. Ihre spezielle Halbmondform ermöglicht den Zusammenbau zu einer zylindrischen Form, die als Halterung in Epitaxiereaktoren dient. Innerhalb der Kammer- oder Reaktorumgebung müssen die Wafer gesichert, aber auch gleichmäßig erhitzt werden, während die kritische Dünnschichtabscheidung stattfindet. Die SiC-beschichteten Halfmoon-Teile bieten genau das richtige Maß an mechanischer Unterstützung, thermischer Stabilität und chemischer Beständigkeit, um diese Aufgaben zu erfüllen.

Graphitist das Trägermaterial für die Halfmoon Parts und wurde aufgrund seiner sehr guten Wärmeleitfähigkeit und seines relativ geringen Gewichts und seiner Festigkeit ausgewählt. Die Oberfläche des Graphits ist mit einer dichten, hochreinen, chemisch aus der Dampfphase abgeschiedenen Siliziumkarbidoberfläche (CVD SiC) bedeckt, um robust gegenüber den aggressiven Umgebungen zu sein, die mit epitaktischem Wachstum einhergehen. Die SiC-Beschichtung verbessert die Oberflächenhärte der Teile und sorgt für Beständigkeit gegenüber reaktiven Gasen wie Wasserstoff und Chlor, was für eine gute Langzeitstabilität und eine sehr begrenzte Kontamination während der Verarbeitung sorgt. Graphit und SiC arbeiten in den Halfmoon-Teilen zusammen, um die richtige Balance zwischen mechanischer Festigkeit und chemischen und thermischen Eigenschaften zu gewährleisten.

Eine der wichtigsten Rollen desSiC-beschichtetHalfmoon Parts ist die Unterstützung von Wafern. Von den Wafern wird erwartet, dass sie während der gesamten Epitaxie flach und stabil sind, um ein gleichmäßiges Wachstum der Gitterstruktur in den kristallinen Schichten zu ermöglichen. Jegliche Biegung oder Instabilität der tragenden Teile kann zu Defektschichten in der Epitaxie führen und letztendlich die Leistung des Geräts beeinträchtigen. Die Halfmoon-Teile werden sorgfältig hergestellt, um höchste Dimensionsstabilität bei hohen Temperaturen zu gewährleisten, das Verzugspotenzial zu begrenzen und eine angemessene Waferplatzierung unter jedem gegebenen Epitaxierezept zu ermöglichen. Diese strukturelle Integrität führt zu einer besseren Epitaxiequalität und einer höheren Ausbeute.

Eine ebenso wichtige Funktion der Halfmoon Parts ist die Wärmeleitung. In einer Epitaxiekammer ist eine gleichmäßige, stationäre Wärmeleitfähigkeit der Schlüssel zum Erhalt hochwertiger Dünnfilme. Der Graphitkern ist ideal für die Wärmeleitfähigkeit geeignet, um den Erwärmungsprozess zu unterstützen und eine gleichmäßige Temperaturverteilung zu ermöglichen. Die SiC-Beschichtung schützt den Kern dabei vor thermischer Ermüdung, Zersetzung und Kontamination. Dadurch können die Wafer gleichmäßig erhitzt werden, um eine gleichmäßige Temperaturübertragung zu erreichen und die Entwicklung defektfreier Epitaxieschichten zu unterstützen. Mit anderen Worten: Für Dünnschichtwachstumsprozesse, die bestimmte thermische Bedingungen erfordern, bieten die SiC-beschichteten Halfmoon-Teile sowohl Effizienz als auch Zuverlässigkeit. Langlebigkeit ist ein zentraler Aspekt der Komponenten. Bei der Epitaxie handelt es sich häufig um Temperaturwechsel bei erhöhten Temperaturen, die über das hinausgehen, was herkömmliche Baumaterialien ohne Zersetzung aushalten können.

Sauberkeit ist ein weiterer wichtiger Vorteil. Da die Epitaxie sehr empfindlich gegenüber Verunreinigungen ist, werden durch den Einsatz der CVD-SiC-Beschichtung mit außergewöhnlich hoher Reinheit Verunreinigungen aus der Reaktionskammer vermieden. Dies minimiert die Partikelbildung und schützt die Wafer vor Defekten. Durch die kontinuierliche Verkleinerung der Gerätegeometrien und die kontinuierliche Verschärfung der Anforderungen an den Epitaxieprozess ist die Kontaminationskontrolle für die Sicherstellung einer gleichbleibenden Produktionsqualität von entscheidender Bedeutung.

Semicorex SiC-beschichtete Halbmondteile berücksichtigen nicht nur Sauberkeitsprobleme, sie sind auch flexibel und können an verschiedene Epitaxiesystemkonfigurationen angepasst werden. Sie können auch in bestimmten Abmessungen, Beschichtungsdicken und Designs/Toleranzen hergestellt werden, die hypothetisch in die anspruchsvolle Ausrüstung passen. Diese Flexibilität trägt dazu bei, sicherzustellen, dass vorhandene Anlagen nahtlos integriert werden können und die beste Prozesskompatibilität gewährleistet ist.