SiC-beschichtete Graphittiegel

Installiert im Zentrum von Hochtemperatur-Kristallwachstumsöfen,SiC-beschichtetGraphittiegel bilden in Verbindung mit Heizgeräten, Wärmeisolationshülsen, Strömungsführungsrohren und Tiegelschächten das komplette Wärmefeldsystem. Dieses Wärmefeldsystem kann eine stabile Hochtemperaturumgebung aufrechterhalten, die für das Kristallwachstum unerlässlich ist.

Die Herstellung von SiC-beschichtetenGraphittiegelNormalerweise beginnt man mit der Verwendung der fortschrittlichen chemischen Gasphasenabscheidungstechnologie, um eine gleichmäßige Abscheidung einer dichten Schicht zu erreichenSiliziumkarbidBeschichtung auf der Oberfläche des geformten Graphitsubstrats. Bestehend aus hochreinemGraphitDas Substrat und die dichte Siliziumkarbidbeschichtung des SiC-beschichteten Graphittiegels bilden eine synergistische Struktur, die die Wärmeleitfähigkeit von Graphit mit der Korrosionsbeständigkeit von Siliziumkarbid kombiniert.

Die Czochralski-Methode ist die universelle industrielle Technik zur Kristallzüchtung. Bei dieser Technik wird während der Kristallherstellung die Zentrifugalkraft auf den Tiegel ausgeübt. Die überlegene Biegefestigkeit und Zähigkeit von SiC-beschichteten Graphittiegeln kann Brüche oder Risse bei Hochgeschwindigkeitsrotationen verhindern und so Produktionsunterbrechungen aufgrund von Tiegelschäden effektiv reduzieren. Darüber hinaus müssen Tiegel bei diesem Prozess innerhalb kurzer Zeit starken Temperaturschwankungen ausgesetzt sein. Dank ihrer bemerkenswerten Temperaturschockbeständigkeit können SiC-beschichtete Graphittiegel strukturelle Schäden aufgrund von thermischer Belastung reduzieren, die Stabilität ihrer Form gewährleisten und dadurch Kristallwachstumsfehler verringern, die durch Tiegelverformung verursacht werden.

Bei hohen Temperaturen bilden SiC-beschichtete Graphittiegel eine dichte Schutzschicht aus Siliziumkarbid. Diese Schutzschicht kann das Graphitsubstrat von Siliziumdampf und geschmolzenem Silizium isolieren und dadurch die Korrosion des Graphitsubstrats und das Risiko einer Kristallkontamination im Zusammenhang mit dem Abblättern der Beschichtung minimieren. Daher können die SiC-beschichteten Graphittiegel von Semicorex verschiedenen komplexen Hochtemperatur-Korrosionsumgebungen über längere Zeiträume im tatsächlichen Betrieb standhalten. Dadurch wird eine konsistente Kristallzusammensetzung gewährleistet und die Fehlerquote reduziert, was beides für die Herstellung hochwertiger Halbleiterkristalle unerlässlich ist.