SiC-Schneiden

Siliziumkarbid (SiC)ist in der Halbleiterindustrie aufgrund seiner hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften sehr beliebt. Allerdings ist die hohe Härte und Sprödigkeit vonSiCstellen die Verarbeitung vor erhebliche Herausforderungen.

Das Schneiden mit Diamantdraht wird häufig verwendetSiCSchneidverfahren und eignet sich zur Herstellung großformatiger SiC-Wafer.

Vorteil:

Hohe Effizienz: Aufgrund ihrer hohen Schnittgeschwindigkeit hat sich die Diamantdrahtschneidetechnologie zur bevorzugten Methode für die Massenproduktion großer SiC-Wafer entwickelt und verbessert die Produktionseffizienz erheblich.

Geringe thermische Beschädigung: Im Vergleich zu herkömmlichen Schneidmethoden erzeugt das Diamantdrahtschneiden während des Betriebs weniger Wärme, wodurch thermische Schäden an SiC-Kristallen effektiv reduziert und die Integrität des Materials erhalten bleiben.

Gute Oberflächenqualität: Die nach dem Schneiden erhaltene Oberflächenrauheit des SiC-Wafers ist gering, was eine gute Grundlage für nachfolgende Schleif- und Polierprozesse bietet und zu einer qualitativ hochwertigeren Oberflächenbehandlung beiträgt.

Mangel:

Hohe Gerätekosten: Diamantdrahtschneidegeräte erfordern eine hohe Anfangsinvestition und auch die Wartungskosten sind hoch, was die Gesamtproduktionskosten erhöhen kann.

Drahtverlust: Der Diamantdraht verschleißt während des kontinuierlichen Schneidvorgangs und muss regelmäßig ausgetauscht werden, was nicht nur die Materialkosten erhöht, sondern auch den Wartungsaufwand erhöht.

Eingeschränkte Schnittgenauigkeit: Obwohl das Schneiden mit Diamantdraht bei regulären Anwendungen gute Ergebnisse liefert, genügt die Schnittgenauigkeit möglicherweise nicht den strengeren Anforderungen, wenn komplexe Formen oder Mikrostrukturen bearbeitet werden müssen.

Trotz einiger Herausforderungen bleibt die Diamantdrahtschneidetechnologie ein leistungsstarkes Werkzeug bei der Herstellung von SiC-Wafern. Da die Technologie immer weiter voranschreitet und die Kosteneffizienz steigt, wird erwartet, dass diese Methode eine größere Rolle spielen wirdSiC-WaferVerarbeitung in der Zukunft.