MOCVD kennen

MOCVD ist eine neue Dampfphasen-Epitaxie-Wachstumstechnologie, die auf der Grundlage des Dampfphasen-Epitaxie-Wachstums (VPE) entwickelt wurde. MOCVD verwendet organische Verbindungen der Elemente III und II sowie Hydride der Elemente V und VI als Ausgangsmaterialien für das Kristallwachstum. Es führt eine Dampfphasenepitaxie auf dem Substrat durch eine thermische Zersetzungsreaktion durch, um verschiedene III-V-Hauptgruppen, dünnschichtige Einkristallmaterialien aus Verbindungshalbleitern der II-VI-Untergruppe und deren feste Lösungen mit mehreren Elementen zu züchten. Normalerweise wird das Kristallwachstum im MOCVD-System in einer Kaltwand-Reaktionskammer aus Quarz (Edelstahl) durchgeführt, wobei H2 unter Normaldruck oder niedrigem Druck (10–100 Torr) strömt. Die Substrattemperatur beträgt 500–1200 °C, und die Graphitbasis wird mit Gleichstrom erhitzt (das Substratsubstrat befindet sich auf der Graphitbasis), und H2 wird durch eine temperaturgesteuerte Flüssigkeitsquelle geblasen, um metallorganische Verbindungen zu befördern Wachstumszone.

MOCVD hat ein breites Anwendungsspektrum und kann nahezu alle Verbindungs- und Legierungshalbleiter herstellen. Es eignet sich sehr gut zum Züchten verschiedener Heterostrukturmaterialien. Es können auch ultradünne Epitaxieschichten wachsen und sehr steile Grenzflächenübergänge erzielt werden. Das Wachstum ist leicht zu kontrollieren und kann mit sehr hoher Reinheit wachsen. Bei hochwertigen Materialien weist die Epitaxieschicht eine gute Gleichmäßigkeit über eine große Fläche auf und kann in großem Maßstab hergestellt werden.

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