Das Semicorex-Innenführungsrohr ist eine Hochleistungskomponente aus Kohlenstoff/Kohlenstoff-Verbundwerkstoff, die entwickelt wurde, um den Wärmefluss zu regulieren und ein stabiles, gleichmäßiges Wärmefeld während des Kristallwachstums von hochreinem Silizium zu erzeugen. Semicorex ist ein vertrauenswürdiger Anbieter von fortschrittlichen Materialien und präzisionsgefertigten Komponenten und liefert zuverlässige Lösungen für die Halbleiter- und Photovoltaik-Fertigungsindustrie weltweit.*
Das innere Führungsrohr von Semicorex ist präzisionsgefertigtKohlenstoff/Kohlenstoff (C/C)-KomponenteEntwickelt für fortschrittliche Hochtemperatur-Wärmefeldanwendungen, insbesondere für die Züchtung hochreiner Siliziumkristalle. Als kritisches Element in Kristallwachstumsöfen spielt diese Komponente eine zentrale Rolle bei der Formung und Stabilisierung des Wärmegradienten und sorgt so für eine optimale Kristallbildung und eine gleichbleibende Materialqualität.
Das aus hochdichtem, kohlenstofffaserverstärktem Kohlenstoffverbundstoff gefertigte Innenführungsrohr bietet außergewöhnliche strukturelle Integrität und thermische Stabilität unter extremen Bedingungen. Mit einer Dichte von ≥1,35 g/cm³ und einer Biegefestigkeit von ≥110 MPa bleibt die mechanische Robustheit auch bei längerer Einwirkung erhöhter Temperaturen erhalten. Diese Eigenschaften sind bei der Herstellung von Silizium in Halbleiterqualität von entscheidender Bedeutung, da selbst geringfügige Schwankungen der thermischen Bedingungen die Kristallgleichmäßigkeit und Defektraten erheblich beeinflussen können.
Die Hauptaufgabe des C/C-Innenführungsrohrs besteht darin, ein präzises Gradiententemperaturfeld aufzubauen. Während des Siliziumkristallwachstumsprozesses wird es direkt über der Schmelze positioniert, um:
Direkter Gasfluss: Er leitet den Fluss des inerten Argongases und stellt sicher, dass Siliziumoxiddämpfe (SiO) effizient von der Schmelzoberfläche weggespült werden, wodurch eine Sauerstoffkontamination im Kristall verhindert wird.
Wärmeabschirmung: Sie schützt den wachsenden Kristall vor direkter Wärmestrahlung von den Tiegelwänden und sorgt so für den steilen axialen Temperaturgradienten, der für das Hochgeschwindigkeits-Kristallziehen mit hoher Qualität erforderlich ist.
Energieeffizienz: Durch die Konzentration der Wärme in der Schmelzzone und die Isolierung der oberen Ofenkomponenten wird der Gesamtstromverbrauch erheblich reduziert.
Unsere inneren Führungsrohre werden mit hoher Dichte hergestelltKohlenstoff/Kohlenstoff-Verbundwerkstoffeund stellt eine überlegene Alternative zu herkömmlichem Graphit dar. Die Materialeigenschaften sind für die extremen Bedingungen von Halbleiter-Vakuumöfen optimiert:
Dichte: ≥ 1,35 g/cm³
Biegefestigkeit: ≥ 110 MPa
Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE): ≤ 1,0 × 10⁻⁶ /K
Wärmeleitfähigkeit (Raumtemperatur): ≤ 10 W/(m·K)
Mit der Entwicklung der Industrie hin zu größeren Wafergrößen (300 mm und 450 mm) steigen die Anforderungen an das Wärmefeld exponentiell. Unsere Innenführungsrohre sind mit den wichtigsten CZ-Ofenmarken kompatibel und können hinsichtlich Geometrie und Beschichtung individuell angepasst werden.