Graphit-Thermalfeld

Semicorex begegnet den Herausforderungen von Kristallwachstumsanwendungen mit seinem hochmodernen hochreinen Graphit-Wärmefeld. Das aus sorgfältig ausgewähltem, hochreinem isostatischem Graphit gefertigte Graphit-Thermalfeld bietet bedeutende Eigenschaften, die die Leistung, Zuverlässigkeit und Kosteneffizienz von Einkristall-Silizium-Wachstumsprozessen deutlich verbessern:

Einheitlichkeit neu definiert:Semicorex Graphite Thermal Field zeichnet sich durch eine außergewöhnliche Gleichmäßigkeit seiner Heizstruktur aus und gewährleistet eine homogene Temperaturverteilung über die gesamte Wachstumszone. Diese Gleichmäßigkeit minimiert thermische Spannungen innerhalb des wachsenden Kristalls, was zu einer geringeren Defektdichte, einer verbesserten Kristallqualität und einer höheren Ausbeute an verwendbaren Wafern führt.

Antriebseffizienz:Die außergewöhnliche elektrische Leitfähigkeit des Graphit-Wärmefelds ermöglicht eine effiziente Wärmeübertragung und eine präzise Temperaturkontrolle im Wachstumsofen. Mit anderen Worten bedeutet dies schnellere Aufheiz- und Abkühlzyklen, einen geringeren Energieverbrauch und letztendlich geringere Kosten pro hergestelltem Kristall.

Unerschütterlicher Widerstand: Das Graphit-Wärmefeld ist so konstruiert, dass es den rauen Bedingungen standhält, die beim Wachstum von Siliziumeinkristallen auftreten. Seine inhärente Korrosionsbeständigkeit gewährleistet Langzeitstabilität und verhindert eine Kontamination des wachsenden Kristalls durch beschädigte Komponenten. Darüber hinaus verhindert die nichtoxidierende Natur des Graphit-Wärmefelds die Bildung unerwünschter Oxide, wodurch die Reinheit der Wachstumsumgebung erhalten bleibt und eine gleichbleibende Kristallqualität gewährleistet wird.

Reinheit im Kern:Semicorex ist sich bewusst, dass das Erreichen höchster Halbleiterleistungen mit außergewöhnlicher Materialreinheit beginnt. Das Graphit-Wärmefeld wird aus hochreinem isostatischem Graphit hergestellt und sorgfältig verarbeitet, um Verunreinigungen zu minimieren, die sich negativ auf das Kristallwachstum auswirken könnten. Dieses Bekenntnis zur Reinheit gewährleistet die Herstellung hochwertiger Siliziumkristalle mit den gewünschten elektrischen Eigenschaften.

Für die Ewigkeit gebaut:Die robuste mechanische Festigkeit des Graphit-Wärmefelds stellt sicher, dass es den anspruchsvollen thermischen Zyklen und mechanischen Belastungen standhält, die bei Kristallwachstumsprozessen auftreten. Diese Haltbarkeit führt zu einer längeren Lebensdauer der Komponenten, einem geringeren Wartungsaufwand und letztendlich zu niedrigeren Gesamtbetriebskosten.

Wärmefeldsystem eines Einkristall-Ziehofens

Das hochreine isostatische Graphit-Wärmefeld von Semicorex bietet ein überzeugendes Wertversprechen für Hersteller von einkristallinem Silizium:

Energieeffizienz:Optimiertes thermisches Design und hohe elektrische Leitfähigkeit tragen zu einem reduzierten Energieverbrauch und niedrigeren Betriebskosten bei.

Hochwertige Produkte:Außergewöhnliche Materialreinheit und gleichmäßige Heizprofile ermöglichen das Wachstum hochwertiger Kristalle, maximieren die Ausbeute und steigern den Wert des Endprodukts.

Geringer Wartungsaufwand:Robuste Materialien und sorgfältige Konstruktion minimieren den Verschleiß, reduzieren den Wartungsaufwand und verlängern die Lebensdauer der Komponenten.