Tiegel-Stütztablett

Bei der Hochtemperatur-Halbleiterfertigung sind Stabilität und Präzision entscheidend für die Gewährleistung einer gleichbleibenden Kristallqualität. Das Semicorex-Tiegelstütztablett spielt eine wichtige, aber oft übersehene Rolle bei der Aufrechterhaltung der Integrität des Kristallwachstumsprozesses, indem es eine zuverlässige Grundlage unter extremen thermischen und mechanischen Bedingungen bietet.

Das Crucible Support Tray, auch bekannt als aKohlenstoff/Kohlenstoff (C/C)Der Tiegelhalter wurde speziell für die Unterstützung von Quarz- oder Graphittiegeln während der Züchtung von einkristallinem Silizium entwickelt. Diese am Fuß des Wärmefeldes positionierte Komponente muss einer längeren Einwirkung hoher Temperaturen standhalten und gleichzeitig die strukturelle Integrität und Dimensionsstabilität bewahren. Sein robustes Design sorgt dafür, dass der Tiegel während des gesamten Prozesses sicher positioniert bleibt und minimiert Vibrationen, Verformungen oder Fehlausrichtungen, die sich negativ auf die Kristallqualität auswirken könnten.

Rolle des C/C-Unterstützungsfachs

Beim Wachstum von monokristallinem Silizium liegen die Temperaturen häufig über 1400 °C. Herkömmliche Graphitmaterialien sind zwar nützlich, stehen jedoch häufig vor Herausforderungen hinsichtlich der Lebensdauer und der Verformung unter dem hohen Gewicht von geschmolzenem Silizium. Unser Tiegelstütztablett aus C/C-Verbundwerkstoff löst diese Probleme.

Durch die Verwendung einer hochfesten, kohlenstofffaserverstärkten Matrix bietet dieses Tablett ein Wärmeausdehnungsprofil von „nahezu Null“ und eine außergewöhnliche Tragfähigkeit. Es dient als Schnittstelle zwischen Tiegel und rotierender Welle und sorgt für eine perfekt ebene Ebene, um Schmelzturbulenzen und Kristallfehler zu verhindern.

Technische Spezifikationen und hervorragende Materialien

Dichte: ≥ 1,3 g/cm³

Biegefestigkeit: ≥ 110 MPa

Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE): ≤ 1,0 × 10⁻⁶ /K

Druckfestigkeit:  ≥ 160 MPa