SiC-beschichtete Graphit-Waferträger

Bei der Herstellung von Halbleiterwafern muss eine Eptaxieschicht auf dem Wafersubstrat aufgewachsen werden, damit in nachfolgenden Schritten Halbleiterbauelemente hergestellt werden können. Als unverzichtbare Verbrauchskomponente im Waferepitaxieprozess, die direkt mit dem Wafersubstrat in Kontakt kommt, hat die Leistung von SiC-beschichteten Graphitwaferträgern einen erheblichen Einfluss auf die Gleichmäßigkeit und Reinheit des epitaktischen Materialwachstums. Aus diesem Grund ist es für Anwender von entscheidender Bedeutung, einen optimalen SiC-beschichteten Graphit-Waferträger auszuwählen.

Verwendung von hochreinem Graphit zur Herstellung der Basis von Wafer-Trägern und Verwendung einer UniformCVD-SiC-BeschichtungUm dem Wafer-Träger eine „Schutzpanzerung“ zu verleihen, hat sich Semicorex zum Ziel gesetzt, einen hochwertigen SiC-beschichteten Graphit-Wafer-Träger anzubieten, der in der Lage ist, Wafer-Substrate in anspruchsvollen Epitaxieprozessen zuverlässig strukturell zu stützen und so ein stabiles und zuverlässiges Wachstum epitaktischer Materialien sicherzustellen.

1. Premium-Graphitbasis

A. Die Graphitbasis verfügt über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, die eine schnelle und gleichmäßige Wärmeverteilung während epitaktischer Prozesse ermöglicht.

B. Mit einem relativ niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten kann die Graphitbasis unsere gewährleistenSiC-beschichtete Graphit-Waferträgerhalten häufigen thermischen Zyklen stand, ohne sich leicht zu verformen.

C. Graphitmaterialien zeichnen sich durch eine hervorragende mechanische Festigkeit aus, sodass unsere SiC-beschichteten Graphit-Waferträger Wafersubstrate bei langfristigen Epitaxieanwendungen sicher stützen können.

2. Zuverlässige CVD-SiC-Beschichtung

A. Ultrahohe Sauberkeit

Die Reinheit der CVD-SiC-Beschichtung kann den ppb-Bereich erreichen, wodurch die Kontamination zwischen dem Waferträger und dem Wafersubstrat minimiert und somit die strengen Reinheitsanforderungen der Halbleiterindustrie vollständig erfüllt werden.

B. Zuverlässiger Schutz

Die CVD-SiC-Beschichtung weist eine dichte Struktur auf und ist in der Lage, die Graphitbasis vollständig von Hochtemperatur- und stark korrosiven Umgebungen zu isolieren und die chemische Korrosion und Oxidation der Graphitbasis wirksam zu hemmen, wodurch der zuverlässige Betrieb unseres SiC-beschichteten Graphit-Wafer-Trägers im Langzeitbetrieb gewährleistet wird.

C. Starke Haftfestigkeit

Die CVD-SiC-Beschichtung bietet eine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit und eine ähnliche Wärmeausdehnung wie die Graphitbasis. Es weist eine starke Bindungsstärke mit der Graphitbasis auf und ist selbst bei starken Temperaturschwankungen weniger anfällig für Risse oder Ablösungen.