Aixtron 1x4" SiC-beschichtete Graphitsuszeptoren

Das epitaktische Wachstum von Wafern wird mittels MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) realisiert. Präzise dosierte hochreine Gase werden in die Reaktionskammer geleitet; Bei hohen Temperaturen kommt es zu chemischen Reaktionen, die es ermöglichen, atomar dünne Filme auf Wafer-Substraten abzuscheiden und epitaktische Verbundhalbleiterstrukturen aufzubauen. Als unersetzliche Kernkomponenten für MOCVD-Systeme hat die Leistung von SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren einen entscheidenden Einfluss auf die Wachstumsgeschwindigkeit der Epitaxie und die Qualität der fertigen Wafer.

Semicorex verwendet hochreinen isostatischen Graphit als Basismaterial für Aixtron 1x4" SiC-beschichtete Graphitsuszeptoren und trägt eine dichte Siliziumkarbid-Schutzbeschichtung auf ihre Oberfläche auf, wodurch sie ideale Optionen für anspruchsvolle epitaktische Prozessumgebungen darstellen.

---

Hochwertige isostatische Graphitbasen

Aixtron 1x4" SiC-beschichtete Graphitsuszeptoren werden präzise aus isostatischem Graphit in Halbleiterqualität hergestellt. Mit seiner feinen Korngröße und gleichmäßigen inneren Eigenschaften bietet dieses Graphitmaterial die folgenden hervorragenden Leistungen und ermöglicht Aixtron 1x4"SiC-beschichteter Graphitsuszeptors zur Bereitstellung einer stabilen Träger- und Heizbasis während Wafer-Epitaxieprozessen.

1. Ultrahohe Materialreinheit

2. Robuste Thermoschockbeständigkeit

3.  Außergewöhnliche Hochtemperaturbeständigkeit

4.  Zuverlässige chemische Stabilität

5. Überlegene Wärmeleitfähigkeit

6. Isotrope Eigenschaften und konstante Leistung in alle Richtungen

---

Dichte CVD-SIC-Beschichtung

Um eine Kontamination der Reaktionskammer durch unbeschichtetes Material zu vermeidenGraphitSemicorex verwendet die chemische Gasphasenabscheidungstechnologie, um eine gleichmäßige SiC-Schutzschicht auf der Basisoberfläche aufzubringen und die Lebensdauer von Wafer-Suszeptoren zu verlängern, um die unten aufgeführte überlegene Leistung zu erzielen:

1. Verbesserte Korrosionsbeständigkeit

Das dichteCVD-SiC-BeschichtungDie 1x4" SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren von Aixtron fungieren als Schutzbarriere, die verhindern kann, dass die Graphitbasis unter strengen Epitaxiebedingungen korrodiert.

2. Starke Grenzflächenbindung

Die CVD-SiC-Beschichtung ist fest mit der Graphitbasis verbunden und wird selbst bei wiederholten Temperaturwechseln während des Epitaxieprozesses nicht leicht reißen oder abblättern.

3. Längere Lebensdauer

CVD-SiC-Beschichtungen können die Graphitbasis vor Pulverisierung und Korrosion während des epitaktischen Wachstums schützen und so die Lebensdauer der 1x4" SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren von Aixtron erheblich verlängern.

Durchdachter Service und schnelle Lieferung

Semicorex verfügt über ein erfahrenes Team, das bereit ist, Kundenanfragen schnell zu bearbeiten und professionellen technischen Support zu bieten. Basierend auf unseren integrierten Fertigungsabläufen bietet Semicorex eine effiziente Produktionsvorlaufzeit von Aixtron 1x4" SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren in der Regel innerhalb von 45-60 Tagen, was die Wartezeit der Kunden und die Projektüberschreitung effektiv verkürzt.